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芯片制作工藝流程 U
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工藝流程 $gz8! f?  
1) 表面清洗 4&%H;Q  
    晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。 XOQ0(e6  
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2) 初次氧化 Vn:v{-i  
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    有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力 bp}97ZQ  
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氧化技術(shù) #3LZX!  
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干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) ?E V^H-rr  
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濕法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 QRKP
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干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時，膜厚與時間成正比。SiO2膜變厚時，膜厚與時間的平方根成正比。因而，要形成較 厚的SiO2膜，需要較長的氧化時間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過SiO2膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時，因在于OH基在SiO2膜中的擴(kuò)散系數(shù)比O2的大。氧化反應(yīng)，Si 表面向深層移動，距離為SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過光干涉來估計(jì)膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預(yù)告知道是幾次干涉，就能正確估計(jì)。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計(jì)算出 `v)'(R7){  
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(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄時，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計(jì)或橢圓儀等測出。 1y6<gptx  
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SiO2和Si界面能級密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si的界面能級密度最低，約為10E+10 --  10E+11/cm –2 .e V -1 數(shù)量級。(100)面時，氧化膜中固定電荷較多，固定電荷密度的大小成為左右閾值的主要因素。 IAMa  
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3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉積一層Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 bV2a2#kj  
工藝流程 K0C"s'q  
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1) 表面清洗 x7^VU5w#  
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    晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。 k:j_:C&.  
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2) 初次氧化 $uFvZ?w&  
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    有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力 ml^=y~J[  
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氧化技術(shù) x\
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