關(guān)于光刻機(jī)，荷蘭那種全球頂級(jí)的EUV光刻機(jī)，中國制造得出來嗎？下面的答案相對(duì)比較悲觀，轉(zhuǎn)自網(wǎng)絡(luò)，大家可以討論一下。 +t[i68,%  
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光刻機(jī)比原子彈還難造，它是全世界頂尖技術(shù)的薈萃，是一個(gè)綜合大學(xué)科。是一種集合了數(shù)學(xué)、光學(xué)、流體力學(xué)、高分子物理與化學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、機(jī)械、自動(dòng)化、軟件、圖像識(shí)別領(lǐng)域頂尖技術(shù)的產(chǎn)物。 J2Y S+%K  
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這根本就不是一國之力可為的，荷蘭不行，美國同樣不行！ 0[L)`7  
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在一臺(tái)尖端光刻機(jī)上你會(huì)看到全世界各國頂尖技術(shù)的薈萃：德國提供蔡司鏡頭技術(shù)設(shè)備，日本提供特殊復(fù)合材料，瑞典的工業(yè)精密機(jī)床技術(shù)，美國提供控制軟件、電源等等等等，任何一國都不具備光刻機(jī)所要求的全部頂尖技術(shù)。 0vYHx V  
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世界上每一個(gè)國家都不能依靠自己制造出先進(jìn)的光刻機(jī)，現(xiàn)在的高端光刻機(jī)是許多個(gè)國家共同合作的結(jié)果，可惜中國不在這個(gè)集體內(nèi)。 U]Pl` =SL  
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從這個(gè)角度考慮，光刻機(jī)確實(shí)要比兩彈一星難得多。 xZ84q'i"  
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光刻機(jī)集成了十萬多個(gè)零件，有很多都是全世界的頂尖技術(shù)，每一項(xiàng)都是被國外壟斷的技術(shù)。這并是荷蘭的獨(dú)家技術(shù)，而是美德英日瑞等好幾個(gè)國家共同研發(fā)出來的，涉及好幾個(gè)大科學(xué)領(lǐng)域。 F4:giu ht  
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中國若有能力造出來，就意味著中國科技方方面面碾壓全世界。 6O@/Y;5i  
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今天即使把ASML的技術(shù)人員、專家聘請(qǐng)到中國來，甚至給我們樣機(jī)，隨便拆，給我們?cè)O(shè)計(jì)圖紙，給我們工具，我們同樣造不出來。美國的電源，瑞典的軸承，德國的鏡頭哪弄去？

5年不行就十年，十年不行就二十年，一代人不行就兩代人，沒有什么不可能！！！

10年差距

最近小編在某音上看見一篇消息，上面說硅谷芯片“大神”尹志堯回國，帶回30多位芯片人才，60多項(xiàng)個(gè)人專利，以及5nm刻蝕機(jī)。這一條小時(shí)得到了19W多的點(diǎn)贊，2萬條留言，里面那么這條信息是真的還是假的呢？ qS?uMms7w  
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首先這件事是不是真的？這件事是真的，不過不是現(xiàn)在，而是2004年就回國了。可以說是一篇炒的不能再炒的“冷飯”。只是再這個(gè)特殊時(shí)期誤導(dǎo)了網(wǎng)上的小伙伴。 HY>zgf,0  
那么誰是尹志堯呢？可以說他曾經(jīng)被美國稱之為“硅谷之神”來形容，1978-1980年，在北京大學(xué)化學(xué)系攻讀碩士，1980年，前往加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校留學(xué)，并獲得物理化學(xué)博士學(xué)位，1984年，在硅谷Intel公司、LAM研究所、應(yīng)用材料公司等電漿蝕刻供職16年。尹志堯曾發(fā)起硅谷中國工程師協(xié)會(huì)并擔(dān)任主席。可以說對(duì)于手機(jī)芯片的刻蝕技術(shù)有著杰出的貢獻(xiàn)。并且尹志堯個(gè)人在半導(dǎo)體領(lǐng)域就有16項(xiàng)個(gè)人專利。 /+JHnedK  
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有一次在世界半導(dǎo)體展覽會(huì)上，尹志堯偶遇上海經(jīng)貿(mào)委副主任江上舟。江上舟仔細(xì)觀看了美國的應(yīng)用材料設(shè)備以后說：看來刻蝕機(jī)比原子彈還要復(fù)雜，外國人用它來卡住我們的脖子，我們自己能不能把他造出來？ ;&OVV+y  
于是尹志堯在江上舟的鼓勵(lì)下，與2004年8月回國，當(dāng)時(shí)的尹志堯已經(jīng)年過60，并且說服了一大批在硅谷當(dāng)中正在做主流的半導(dǎo)體設(shè)備公司以及研究機(jī)構(gòu)工作多年的華裔工程師。一起志同道合的人創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體。 Dhze2q)o  
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當(dāng)時(shí)尹志堯有一個(gè)目標(biāo)，要用15年追趕，20年超越，直到2018年12月份的時(shí)候中微公司宣布5nm刻蝕技術(shù)。距離他當(dāng)時(shí)定下的目標(biāo)的時(shí)候已經(jīng)用了14年之久。而5nm刻蝕機(jī)是光刻機(jī)嗎？讓網(wǎng)友那么興奮，其實(shí)根本就不是一回事。 /#-zI#iK  

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昨天小編寫過一篇芯片的制造過程，在這小編在簡單的說一下，手機(jī)芯片制造過程可分為前道工序晶圓制造、后道工序封裝與檢測等。因生產(chǎn)工藝復(fù)雜，工序繁多，所以生產(chǎn)制造過程當(dāng)中需要種類繁多的設(shè)備。 oa<%R8T?@  
在晶圓制造中，就有七大生產(chǎn)鏈條，分別是擴(kuò)散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長（Dielectric DeposiTIon）、拋光（CMP）、金屬化（MetalizaTIon），所對(duì)應(yīng)的七大類生產(chǎn)鏈條設(shè)備分別為擴(kuò)散爐、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)和清洗機(jī)。 @wPyXl  
在晶圓制造中，由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中需要20到50次的反復(fù)制作，是芯片前端加工過程的三大核心技術(shù)，其設(shè)備價(jià)值也最高。  P0<)E  
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光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，是電路圖和其他電子元件，比如麒麟990擁有103億的晶體管，是怎么安裝上去的呢？其實(shí)晶體管是用光刻技術(shù)雕刻出來的。 E x)fXQ+  
刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料。主要有2種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。目前主流所用的是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的就叫等離子體刻蝕機(jī)。 YMr2Dv\y  
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而芯片制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應(yīng)用涉及硅片上各種材料。蝕刻機(jī)也分為三大類，分別是介質(zhì)刻蝕機(jī)（CCP 電容耦合）、硅刻蝕機(jī)（ICP 電感耦合）、金屬刻蝕機(jī)（ ECR 電子回旋加速振蕩），這主要是因?yàn)殡娙菪缘入x子體刻蝕設(shè)備在以等離子體在較硬的介質(zhì)材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料；有機(jī)掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)。 _X)`S"EsJ  
電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常會(huì)采用鋁合金，對(duì)鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。 ~jD~_JGp  
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所以按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、和硅刻蝕，它們彼此的應(yīng)用并不相同，不能互相替代，因此。通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。 :3A^5}iz  
整體看硅刻蝕最難，其次介質(zhì)刻蝕，最簡單的是金屬刻蝕。而從事刻蝕機(jī)研發(fā)的企業(yè)就有北方華創(chuàng)和中微。 7!PU}[:  
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