HAMR是以激光增加磁錄寫的極限,MAMR是以微波增加磁錄寫的極限,超過(guò)傳統(tǒng)錄寫的100倍。可以達(dá)到每平方英寸250 Tbits的存儲(chǔ)容量。 @;vNX*-J
X1+wX`f
工業(yè)界相信使用HAMR技術(shù)就能在2023年生產(chǎn)出30TB的硬盤。 yuOS&+,P
&59F8JgJ
業(yè)界仍致力于HAMR并且達(dá)到每平方英寸1.5 Tbits的存儲(chǔ)容量,下一個(gè)技術(shù)哩程碑的硬盤將達(dá)40TB。