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SK海力士成功研發(fā)176層4D NAND閃存

發(fā)布：cyqdesign 2020-12-07 19:25 閱讀：1610

12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。