介紹 4jebx
jZ ,zM@)Q ;9 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上
耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
(JlPe)Q5 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
?SFQx \/ 錐形耦合器實際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
]b%U9hmL^f 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
0l[52eZ/ 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為
光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
[?I<$f" SkmTW@v nL=+`aq_ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
NT 5=% X] [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
X;W0r5T :FI
