1  前言 e]rWR  
.rS0zU  
    半導體激光器是以直接帶隙半導體材料構(gòu)成的pn結(jié)或pin結(jié)為工作物質(zhì)的一種小型化激光器.半導體激光工作物質(zhì)有幾十種，目前已制成激光器的半導體材料有砷化稼(gaas)、砷化錮(inas)、銻化錮(insb)、硫化鍋(cds)、蹄化福(cdte)、硒化鉛(pbse)、啼化鉛(phte)、鋁稼砷(a1xga-as)、錮磷砷(in-pxas)等. ;}r#08I  
O|8p #  
    半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注人式、光泵式和高能電子束激勵式. z-