(1)QW激光器   [pUw(KV2m  
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    隨著金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)的逐漸成熟和完善，QW激光器很快從實(shí)驗(yàn)室研制進(jìn)入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件，材料生長(zhǎng)一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點(diǎn)就在于它的QW有源區(qū)具有準(zhǔn)二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比，具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點(diǎn)，并可直接在較高的溫度下工作。   !lKO|Y  
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    (2)應(yīng)變QW激光器   &W-L`aFd0  
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    為了進(jìn)一步改善QW激光器的性能，人們又在QW中引入應(yīng)變和補(bǔ)償應(yīng)變，出現(xiàn)了應(yīng)變QW激光器和補(bǔ)償應(yīng)變QW激光器。應(yīng)變的引入減小了空穴的有限質(zhì)量，進(jìn)一步減小了價(jià)帶間的躍遷，從而使QW激光器的閾值電流顯著降低，量子效率和振蕩頻率再次提高，并且由于價(jià)帶間躍遷的減小和俄歇復(fù)合的降低而進(jìn)一步改善了溫度特性，實(shí)現(xiàn)了激光器無(wú)致冷工作。在阱和壘中分別引入不同應(yīng)變（張應(yīng)變/壓應(yīng)變）實(shí)現(xiàn)應(yīng)變補(bǔ)償，不僅能改善材料質(zhì)量，從而提高激光器的壽命，而且可利用壓應(yīng)變對(duì)應(yīng)于TE模式、張應(yīng)變主要對(duì)應(yīng)于TM模式的特性，制作與偏振無(wú)關(guān)的半導(dǎo)體激光放大器。   pzbR.L}'D  
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    引人矚目的是，GaSb基銻化物材料的研究多年來(lái)倍受重視，因其波長(zhǎng)覆蓋范圍寬，可從1.7 m延展到4.5 m，但材料生長(zhǎng)和器件制作比較困難，1990年以前器件性能指標(biāo)較低。經(jīng)過(guò)近十年的努力，目前MBE生長(zhǎng)GaSb基銻化物應(yīng)變量子阱激光器已在1.9 2.6 m波段先后獲得室溫連續(xù)大功率工作的突破。   S(
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    (3)我國(guó)QW激光器的進(jìn)展   O%H_._#N`  
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    我國(guó)從1993年年底開(kāi)始利用AIX200型低壓MOCVD系統(tǒng)進(jìn)行QW器件的開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出幾十種InGaAsP系列、AlGaInAs系列材料和兩種系列的應(yīng)變QW材料，QW器件的開(kāi)發(fā)也取得豐碩的成果，完成了多項(xiàng)"863"項(xiàng)目，已形成產(chǎn)品的主要有如下器件：   #:s*)(Qn  

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    （1）普通1.3 m QW激光器，國(guó)內(nèi)首批實(shí)用化的QW激光器產(chǎn)品，1995年開(kāi)始大量使用于移動(dòng)通信光纖傳輸直放站。   klxVsx%I{G  
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    （2）應(yīng)變QW DFB激光器系列產(chǎn)品，波長(zhǎng)覆蓋1.5～1.57 m，1996年底批量生產(chǎn)并正式投放市場(chǎng)，主要作為2.5Gb/s SDH系統(tǒng)和WDM系統(tǒng)發(fā)射和信道監(jiān)控光源。   '3 w=D )  
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    （3）大功率高線性1.3 m應(yīng)變QW DFB激光器，1997年小批量使用于CATV光發(fā)射機(jī)。   +D[|L1{xb  
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    正在開(kāi)發(fā)的器件有：   <`i"5`J  
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    （1）1.3 m、1.55 m AlGaInAs高溫?zé)o致冷應(yīng)變QW激光器，"863"項(xiàng)目。 t.$3?"60~  
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（2）1.3 m、1.55 m補(bǔ)償應(yīng)變InGaAsP QW半導(dǎo)體激光放大器，"863"項(xiàng)目。   z}.y ?#  
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    （3）2.5 Gb/s用的QW DFB激光器與電吸收型調(diào)制器的單片光集成器件。   DZ92;m  
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    QW激光器是發(fā)展高速光纖通信系統(tǒng)國(guó)家急需的關(guān)鍵器件。由于此項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的突破，大大推動(dòng)了我國(guó)光纖通信技術(shù)的發(fā)展。   &PVos|G  
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    分布反饋（DFB）激光器   ^hzlR[  
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    DFB 激光譜線寬度要小于 0.04 nm，而且 DFB 激光波長(zhǎng)隨溫度的漂移相對(duì)較小，并具有高的邊模抑制比。這些特性使得 DFB 激光器非常適合密集波分復(fù)用 (DWDM) 的通信應(yīng)用。   T6h-E^Z  
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    (1)增益耦合DFB激光器   X1&Ug^  
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    增益耦合DFB激光器由于它的發(fā)射模落在中心的基模上，從物理上保證了它必然是單縱模的動(dòng)作，單縱模成品率很高，比常用的折射率耦合DFB制作工藝難度小，成本也比較低，同時(shí)它還具有其他的優(yōu)點(diǎn)，如對(duì)背反射光的抑制等。最成熟的器件材料系，首推InGaAsP/InP MQW材料。 .<
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    (2)電吸收調(diào)制DFB激光器（EML）：   ,A`d!{]5  
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