我現(xiàn)在對一個支架，杯體，膠體定義如附件中所示 ?|M-0{  
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但得出的candela 圖角度比實(shí)際測量要大很多，小弟不才 @ m`C%7<  
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看不出問題所在，請各大高手指教！
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其中有可能的是晶片的定義不對！ p(yv  
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實(shí)測50%光強(qiáng)處是7度

下了你的文檔看了一下，只有一個oml文件和關(guān)于PMMA-1的材料屬性文件。 _T)y5/[  
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打開后，發(fā)現(xiàn)你的發(fā)光面的場角分布類型為正比于表面吸收系數(shù)，但這里不知道你定義的表面屬性是什么，所以模擬不出這種情況 {6u)EJ  
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然后我全改為Lambertian發(fā)光時，得出的半光強(qiáng)角度為28度   這和你實(shí)測的7度差距還是很大的  

另外再問個問題：你們的晶片發(fā)光定義難道不是Lambertian的？？  芯片自身就有很小的角度？

對于晶體發(fā)光角度我不太明白是用什么類型的，但我請教別人時是用正比吸收的 b`e_}
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我也試過用郞佰類型，得出的結(jié)果都不合適 P#TPI*qw  
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具體問題出在哪里我就一直找不出原因 !oyo_h  
(^yaAy#4  
支架杯體的參數(shù)是正確的，膠體的實(shí)體是用proE畫出來導(dǎo)進(jìn)TP的 hP:>!KJ  

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膠體的幾何參數(shù)是從廠家的說明書上查到的 ";.j[p:gi  
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