常見的芯片如下： \Q {m9fE  
材料 波長 材料 波長 /{EP*,/*  
InGaN 475-485nm InGaN 525nm ,bZL C  
InGaN 465-475nm InGaN 505nm <kfnpB=  
InGaN 455-465nm InGaN 515nm N&.H|5  
InGaAlP 620-640nm GaAlAs/GaAs 660nm df*#!D7oz  
InGaAlP 610-620nm GaAlAs/GaAlAs 660nm FXpJqlhNv  
InGaAlP 600-610nm GaP 700nm 48J@CvU  
InGaAlP 592-600nm GaP 570-575nm 1;JEc9#h  
InGaAlP 580-593nm GaP 565-570nm <!&[4-;fU  
InGaAlP 567-577nm GaP 550-565nm v>6"j1Z  
InGaAlP 550-565nm PY---GaAlAs 585nm p99]  
pD8+ 4;A  
一、 半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用 9d>-MX'  
??（一）LED發(fā)光原理 ; 8_{e3s  
??發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正向?qū)�通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光，如圖1所示。 pg6cF  
:>rkG?NfL  
<S5BDk  
??假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在*近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。 L s