1.1936年,GeorgeDestiau出版了一個關于硫化鋅粉末發(fā)射光的報告。隨著電流的應用和廣泛的認識，最終出現了"電致發(fā)光"這個術語。 ^PI49iB  
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2.1955年，美國無線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓·布朗石泰（Rubin Braunstein）首次發(fā)現了砷化鎵（GaAs）及其他半導體合金的紅外放射作用。   D4|_?O3|m  
3.1962年,GE、Monsanto、IBM的聯合實驗室開發(fā)出了發(fā)紅光的磷砷化鎵（GaAsP）半導體化合物，從此可見光發(fā)光二極管步入商業(yè)化發(fā)展進程。 qrkT7f  
4.1965年，全球第一款商用化發(fā)光二極管誕生，它是用鍺材料做成的可發(fā)出紅外光的LED，當時的單價約為45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化紅色LED。這種LED的效率為每瓦大約0.1流明，比一般的60至100瓦白熾燈的每瓦15流明要低上100多倍。 i&$uG[&P  
5.1968年，LED的研發(fā)取得了突破性進展，利用氮摻雜工藝使GaAsP器件的效率達到了1流明/瓦，并且能夠發(fā)出紅光、橙光和黃色光。 h]#)41y<  
6.1971，業(yè)界又推出了具有相同效率的GaP綠色芯片LED。 2$91+N*w9  
7.到20世紀70年代，由于LED器件在家庭與辦公設備中的大量應用，LED的價格直線下跌。事實上，LED在那個時代主打市場是數字與文字顯示技術應用領域。 vn<S"  
8.80年代早期的重大技術突破是開發(fā)出了AlGaAsLED，它能以每瓦10流明的發(fā)光效率發(fā)出紅光。這一技術進步使LED能夠應用于室外信息發(fā)布以及汽車高位剎車燈(CHMSL)設備。 C0%%
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9.1990年，業(yè)界又開發(fā)出了能夠提供相當于最好的紅色器件性能的AlInGaP技術，這比當時標準的GaAsP器件性能要高出10倍。 p1nA7;B-m  
10今天，效率最高的LED是用透明襯底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期間，材料技術、芯片尺寸和外形方面的進一步發(fā)展使商用化LED的光通量提高了將近30倍。 hA8 zXk/'8  
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1993年，日本日亞化學工業(yè)（Nichia Corporation）工作的中村修二（Shuji Nakamura）成功把氮滲入，造出了基于寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化鎵（InGaN）、具有商業(yè)應用價值的藍光LED。 ^~