大家好， x*q35K^PE  
上海膜林科技有限公司的新一代晶控儀 XDM-3K，全中文觸摸屏，操作簡單，含有多項專利技術，國產(chǎn)鍍膜機輕松實現(xiàn)自動化。表現(xiàn)優(yōu)異，詳情請見公司網(wǎng)站：morningtech.cn !iJipe5  
歡迎 各位不吝賜教，幫助我們進步，也幫助大家共同進步。

可用晶振片     6MHz     P
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頻率范圍     5MHz~6MHz, 8,*3zVk-  
頻率分辨率     0.005Hz     C:j]43`  
頻率穩(wěn)定度     1ppm     I
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膜厚分辨率     0.002A     ti2  
測量更新率     10Hz ^P$7A]!  
材料數(shù)     112 X<euD9?  
膜系數(shù)     20, 可自動串接 }-nU3{1  
可設定層數(shù)     112層/每膜系 $5A^'q  
可控制蒸發(fā)源數(shù)     3個, 0~10V, 16bit ~kb{K;  
數(shù)字輸入     8路兼容LVTTL，功能自定義 {7X~!e|w  
數(shù)字輸出     10路常開繼電器，功能自定義 A[JM4x   
探頭數(shù)     1，支持六探頭     OZOb1D  
電源     90V~240V,AC, 20W 1~Mn'O%  
主機尺寸 XDM-3K     438*88*300 (mm,標準工業(yè)機柜寬， 2U高度, 深300mm) L~&" aF/b  
控制方法     PID     A3q*$.[  
語言     多國語言(中、英、…)         l$M +.GB<  
通信接口     RS232    

傳一個成膜過程實拍圖 Z %EQt  

描述:成膜過程實拍

圖片:SiO2-mega9-20131119.JPG

問：什么是控制延遲？ *P xf#X  
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成膜初始期間，晶控儀在打開蒸發(fā)源擋板后，將其功率保持在最后一個預熔階段功率不變，直到一定延遲時間后才去自動控制蒸發(fā)源功率。這個延遲時間就是所謂的控制延遲時間。 (\vXA4Oa,  
在蒸發(fā)源擋板剛打開時，晶振片由于受到熱沖擊而產(chǎn)生異常頻率變化（不是厚度帶來的），此時晶控儀根據(jù)頻率計算出來的厚度及速率不是真實值。所以晶控儀不宜馬上自動調節(jié)功率，而是延遲一定時間后再去自動控制。 !<r8~A3!(  
XDM晶控儀在材料參數(shù)中設置控制延遲時間。

問：什么是擋板延遲？ 3Gd|YRtk  
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有些晶控系統(tǒng)中，晶控的探頭不受蒸發(fā)源擋板的遮擋。在擋板打開之前，晶控儀就能測量到沉積速率。這些系統(tǒng)中，需要在擋板打開時就已經(jīng)建立起穩(wěn)定的沉積速率。擋板延遲時間就是預熔階段結束到擋板打開前，建立起沉積速率的最大等待時間！ 5"gL
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擋板延遲功能的優(yōu)點是，擋板開時就已經(jīng)建立穩(wěn)定速率。缺點也很明顯，探頭的位置與產(chǎn)品的位置差異大。 -tyaE  
目前，XDM不支持擋板延遲功能。若要實現(xiàn)同樣效果（擋板開始已經(jīng)建立速率），可使用兩臺XDM晶控儀協(xié)作。 CQ1