早期在小積體電路時代，每一個6寸的外延片上制作數(shù)以千計的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個8寸的外延片上也只能完成一兩百個大型芯片。外延片的制造雖動輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎(chǔ)。 Sq[LwJ  
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　　硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹： @3Gr2/a  
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　　長晶主要程式： D"8