| infotek |
2024-01-03 08:01 |
元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀：FMM
摘要 81O`#DfZ
? gY^,Ckj
[attachment=124503] E;*#fD~@
^J< I
Ia4
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM允許用戶可視化和研究微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電磁場(chǎng)分布。為此，使用傅立葉模態(tài)法/嚴(yán)格耦合波分析（FMM/RCWA）計(jì)算周期性結(jié)構(gòu)（透射或反射、電介質(zhì)或金屬）內(nèi)部的場(chǎng)。還可以指定場(chǎng)的哪一部分應(yīng)該可視化：正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。 (xBS~}e
JZNRM xu
元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀：FMM PF2PMEBx!
[attachment=124504] A 7 qyv0F
-Id4P _y
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM是光柵光學(xué)裝置的獨(dú)有功能，可提供光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部電磁場(chǎng)的可視化。 9i*t3W71]
B+#!%J_
評(píng)估模式的選擇 3' }(: X(
[attachment=124505] *8M 0h9S$
<La $'lG4J
為了更容易地區(qū)分入射場(chǎng)、反射場(chǎng)和透射場(chǎng)，可以僅評(píng)估正向或反向傳播模式，或者評(píng)估兩者的總和。 X+ z!?W *a
(,
/`*GC
評(píng)價(jià)區(qū)域的選擇 7+0Kg'^+n
PTW P7A[
[attachment=124506] s { p-cV
OS;qb:;
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM可以輸出整個(gè)元件（包括基板）內(nèi)部的場(chǎng)，或者只輸出一個(gè)堆棧或基塊（基板）中的場(chǎng)。 vxhs 1vh
c
Owa^;
不同光柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)分布 rG|lRT3-K
w=Ac/ 12
任意形狀的光柵結(jié)構(gòu)可以通過元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀進(jìn)行分析。以下是幾個(gè)例子： 9=O`? $y
[attachment=124507] U a\]]<hj"
1@rI4U@D
光柵結(jié)構(gòu)的采樣 18f!k
T"xq^h1\
雖然分析儀為輸出數(shù)據(jù)提供了一些采樣選項(xiàng)，但系統(tǒng)中定義的光柵表面必須正確采樣（例如，分解點(diǎn)和過渡點(diǎn)的層數(shù)足夠）。 m-Q!V+XQp
Q1yMI8
[attachment=124508] 8 [\F*H
Tw *:Vw
分解預(yù)覽展示了如何根據(jù)當(dāng)前采樣因子對(duì)光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行采樣。 D!Pv `wm
C62:G+W&o
光柵結(jié)構(gòu)的充分采樣意味著已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了收斂，即進(jìn)一步增加采樣不會(huì)顯著影響產(chǎn)生的場(chǎng)。例如，如果層分解過于粗糙，則可能會(huì)由于縱斷面中的大臺(tái)階而產(chǎn)生其他影響。 d7waBs f
[attachment=124509] cH% qoHgx
meey5}
輸出數(shù)據(jù)的采樣：一維周期光柵（Lamellar） y.P
| |