上海光機所在量子阱紅外探測器長波紅外激光輻照損傷研究方面取得進展
近日,中科院上海光機所空天激光技術與系統(tǒng)部研究團隊與中國科學院上海技術物理研究所、西北核技術研究所研究團隊合作,在GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器長波紅外激光單脈沖輻照損傷效應研究方面取得進展。研究成果以“Long-wave infrared laser irradiation damage effect on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector”為題發(fā)表于Physica Scripta。 1JgnuBX" 作為新型光電器件,以長波紅外探測為主的焦平面陣列GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器技術得到快速發(fā)展和日益廣泛應用。同時,窄脈寬大能量長波紅外激光技術也在大氣監(jiān)測、主動遙感等領域得到越來越多的應用。量子阱紅外探測器的激光輻照損傷特性研究尚待開展。 Q@%VJPLv.
[attachment=128901] : Ey 圖1.不同單脈沖激光能量密度下的典型損傷形貌 qfE/,L(B
[attachment=128902] hd9fD[5 圖2.量子阱紅外探測器輻照區(qū)域內的損傷效應 wM
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