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cyqdesign 2010-01-30 21:38

真空鍍膜技術(shù),作者:張以忱

《真空鍍膜技術(shù)》共分10章,系統(tǒng)地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本慨念和基礎(chǔ)理論、各種薄膜制備技術(shù)、設(shè)備及工藝、真空卷繞鍍膜技術(shù)、ITO導(dǎo)電玻璃真空鍍膜工藝,尤其重點介紹了一些近年來新出現(xiàn)的鍍膜方法與技術(shù),如反應(yīng)磁控濺射鍍膜技術(shù)、中頻磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜技術(shù)等;還詳細(xì)介紹了薄膜沉積及膜厚的監(jiān)控與測量以及表面與薄膜分析檢測技術(shù)等方面的內(nèi)容。 aO]FQ#l2b  
《真空鍍膜技術(shù)》具有很強的實用性,適合于真空鍍膜行業(yè)、薄膜與表面應(yīng)用、材料工程、應(yīng)用物理以及與真空鍍膜技術(shù)有關(guān)的行業(yè)從事研究、設(shè)計、設(shè)備生產(chǎn)操作與維護(hù)的技術(shù)人員,也適用與真空鍍膜技術(shù)相關(guān)的實驗研究人員和學(xué)生,還可用作大專院校相關(guān)專業(yè)師生的教材及參考書。 Z UCz-53  
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1 薄膜與表面技術(shù)基礎(chǔ)理論 5v@-.p  
1.1 概述 |rg4 j  
1.2 固體表面介紹 (iw)C)t*u  
1.2.1 固體材料 Z 71.*  
1.2.2 固體表面與界面的基本概念 Q+]9Glz9  
1.2.3 固體表面與界面的區(qū)別 I||4.YT  
1.3 表面晶體學(xué) bRzw.(k0`r  
1.3.1 金屬薄膜的晶體結(jié)構(gòu) PWw2;3`-6w  
1.3.2 理想的表面結(jié)構(gòu) @<W^/D1#L  
1.3.3 表面與體內(nèi)的差異 <h7FS90S  
1.3.4 青潔表面結(jié)構(gòu) !^EdB}@yS  
1.3.5 實際表面結(jié)構(gòu) mtQlm5l  
1.4 表面特征(熱)力學(xué) Ws>2 S  
1.4.1 表面力 $<N!2[I L  
1.4.2 表面張力與表面自由能 Zg#VZg1 2  
1.4.3 表面擴(kuò)散 3.^Tm+ C  
1.5 表面電子學(xué) JM?X]l  
1.5.1 金屬薄膜中的電遷移現(xiàn)象 LAT%k2%Wx  
1.5.2 曾強薄膜抗電遷移能力的措施 @&G< Np`  
1.6 界面與薄膜附著 ZXR#t?D  
1.6.1 界面層 M XX:i  
1.6.2 附著及附著力 @h&crI[c  
1.6.3 固體材料表面能對附著的影響 ].C4RH  
1.6.4 表面、界面和薄膜的應(yīng)力 ;}BDEBl  
1.6.5 增強薄膜附著力的方法 Ct)l0J\XH  
1.7 金屬表面的腐蝕 ub* j&L=  
1.7.1 電化學(xué)腐蝕 }j. [h;C6  
1.7.2 金屬的鈍化 l5R0^!t  
1.7.3 全面腐蝕 _CDl9pP36#  
1.7.4 局部腐蝕 4tb y N  
+9[/> JM  
2 真空蒸發(fā)鍍膜 jbU=D:|  
2.1 概述 J"&jR7-9  
2.2 真空蒸發(fā)鍍膜原理 ojA i2uz  
2.2.1 真空蒸發(fā)鍍膜的物理過程 ie f~*:5  
2.2.2 蒸發(fā)過程中的真空條件 And|T 6u  
2.2.3 鍍膜過程中的蒸發(fā)條件 |Qe#[Q7  
2.2.4 殘余氣體對膜層的影響 =h<LlI^v  
2.2.5 蒸氣粒子在基片上的沉積 ?pAO?5Z:}  
2.3 蒸發(fā)源 Z.]=u(=a  
2.3.1 電阻加熱式蒸發(fā)源 _FJ,, /~  
2.3.2 電子槍加熱蒸發(fā)源 /s\_"p  
2.3.3 感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源 mx'!I7b(L/  
2.3.4 空心熱陰極電子束蒸發(fā)源 .1&~@e%=-  
2.3.5 激光加熱蒸發(fā)源 HaUfTQ8  
2.3.6 電弧加熱蒸發(fā)源 0gEtEH+  
2.4 特殊蒸鍍技術(shù) M^E\L C  
2.4.1 閃蒸蒸鍍法 UY!N"[&  
2:4.2 多蒸發(fā)源蒸鍍法 {4@+ 2)l  
2.4.3 反應(yīng)蒸鍍法 O" <W<l7Q  
2.4.4 三溫度蒸鍍法 4%3R}-'mh  
 >Mzk;TM  
3 真空濺射鍍膜