1.加大尺寸法： 

通過(guò)增大單顆LED的有效發(fā)光面積，和增大尺寸后促使得流經(jīng)TCL層的電流均勻分布而特殊設(shè)計(jì)的電極結(jié)構(gòu)（一般為梳狀電極）之改變以求達(dá)到預(yù)期的光通量。但是，簡(jiǎn)單的增大發(fā)光面積無(wú)法解決根本的散熱問(wèn)題和出光問(wèn)題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。 

2.硅底板倒裝法： 

首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸LED芯片（Flip Chip LED）。同時(shí)制備出相應(yīng)尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點(diǎn)）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與硅底板焊接在一起。（這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，即考慮了出光問(wèn)題又考慮到了散熱問(wèn)題，這是目前主流的High Output Power Chip LED生產(chǎn)方式。） 

美國(guó)LumiLeds公司2001年研制出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結(jié)構(gòu)，具體做法為：第一步，在外延片頂部的P型GaN：Mg淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；第二步，采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；第三步，淀積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1×1mm2，P型歐姆接觸為正方形，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最小；第四步，將金屬化凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管（ESD）的硅載體上。 

3.陶瓷底板倒裝法： 

先利用LED晶片廠通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層。之后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。（這樣的結(jié)構(gòu)考慮了出光問(wèn)題也考慮到了散熱問(wèn)題，并且采用的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷板，散熱的效果非常理想，價(jià)格又相對(duì)較低所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來(lái)的集成電路化一體封裝伺服電路預(yù)留下了安裝空間） 

4.藍(lán)寶石襯底過(guò)渡法： 

按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片。 

5.AlGaInN/碳化硅（SiC）背面出光法： 

美國(guó)Cree公司是采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的全球唯一廠家，幾年來(lái)AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。由于P型和N型電極分別僅次于芯片的底部和頂部，單引線鍵合，兼容性較好，使用方便，因而成為AlGaInN LED發(fā)展的另一主流。