顯影液：a.正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。koh和naoh因?yàn)闀�帶來可動離子污染（mic，movable ion contamination），所以在ic制造中一般不用。最普通的正膠顯影液是四甲 基氫氧化銨（tmah）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～250c）。在i線光刻膠曝光中會生成羧酸，tmah顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響；在化學(xué)放大光刻膠（car，chemical amplified resist）中包含的酚醛樹脂以phs形式存在。car中的pag產(chǎn)生的酸會去除phs中的保護(hù)基團(tuán)（t-boc），從而使phs快速溶解于tmah顯影液中。整個顯影過程中，tmah沒有同phs發(fā)生反應(yīng)。b.負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

顯影中的常見問題：a、顯影不完全（incomplete development）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（under development）。顯影的側(cè)壁不垂直，由顯影時(shí)間不足造成；c、過度顯影（over development）。靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解，形成臺階。顯影時(shí)間太長。

10.硬烘（hard baking）

方法：熱板，100～1300c（略高于玻璃化溫度tg），1～2分鐘。

目的：a.完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑（以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境，例如dnq酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂）；b.堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力；c.進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d.進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（standing wave effect）。

常見問題：a.烘烤不足（underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低針 孔填充能力（gapfill capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b.烘烤過度（overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差。

另外還可以用深紫外線（duv，deep ultra-violet）堅(jiān)膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～2000c）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。