長春光機所制備出高亮度HiBBEE非均勻波導半導體激光器
在垂直方向上，采用高亮度垂直寬區(qū)邊發(fā)射（HiBBEE）結(jié)構(gòu)，利用光子帶隙效應替代傳統(tǒng)的全反射原理進行光場限制，提高光模式尺寸，減小半導體激光器垂直方向發(fā)散角
 高亮度半導體激光器在激光雷達等領域有著極其重要的應用。傳統(tǒng)的半導體激光器面臨垂直發(fā)散角大、橢圓光束輸出、側(cè)向模式多、光束質(zhì)量差等難題，限制了高亮度半導體激光器的直接應用。 針對這一難題，長春光機所Bimberg中德綠色光子學研究中心團隊在垂直方向上，采用高亮度垂直寬區(qū)邊發(fā)射（HiBBEE）結(jié)構(gòu)，利用光子帶隙效應替代傳統(tǒng)的全反射原理進行光場限制，提高光模式尺寸，減小半導體激光器垂直方向發(fā)散角；同時在側(cè)向方向上，采用非均勻波導抑制側(cè)向高階模式，提高半導體激光器側(cè)向光束質(zhì)量，優(yōu)化設計并制備了HiBBEE非均勻波導半導體激光器。達到1.5A電流下垂直和側(cè)向發(fā)散角半高全寬仍低至8.6°和5.1°，并保持基模輸出，亮度相比于同類型器件提升1.5倍的良好效果。  HiBBEE非均勻波導半導體激光器結(jié)構(gòu)示意圖  HiBBEE非均勻波導半導體激光器亮度 這種高亮度HiBBEE非均勻波導半導體激光器可大幅降低半導體激光器的應用成本，具有廣闊的應用前景。 文章第一作者是中德中心博士研究生吳承坤，通信作者是田思聰研究員，研究得到了國家自然基金中德國際合作項目的資助（面向激光雷達的1250nm高亮度量子點激光器的研究，No. 62061136010）。 相關鏈接：1.https://doi.org/10.1364/OE.524474 ；2.https://doi.org/10.1063/5.0236274。 |
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