近日，位于無錫市濱湖區(qū)的上海交大無錫光子芯片研究院(CHIPX)迎來突破——首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓在國(guó)內(nèi)首個(gè)光子芯片中試線下線，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的規(guī)模化量產(chǎn)，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

光量子芯片是光量子計(jì)算的核心硬件載體，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程關(guān)系著量子信息領(lǐng)域自主可控戰(zhàn)略。此前，因共性關(guān)鍵工藝技術(shù)平臺(tái)的缺失，我國(guó)光量子技術(shù)面臨“實(shí)驗(yàn)室成果難以量產(chǎn)”的困境，是制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題，而光子芯片中試線的啟用成為破局關(guān)鍵。作為濱湖區(qū)競(jìng)速量子科技賽道的“頭號(hào)工程”，也是區(qū)域未來產(chǎn)業(yè)地標(biāo)，上海交大無錫光子芯片研究院于2022年底破土動(dòng)工，并率先啟動(dòng)國(guó)內(nèi)首條光子芯片中試線建設(shè)。如今，首片晶圓成功下線，中試平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)悉，作為一種高性能光電材料，薄膜鈮酸鋰具備超快電光效應(yīng)、高帶寬、低功耗等優(yōu)勢(shì)，在5G通信、量子計(jì)算等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。然而，由于薄膜鈮酸鋰材料脆性大，大尺寸薄膜鈮酸鋰晶圓的制備一直存在挑戰(zhàn)。當(dāng)前，憑借中試平臺(tái)先進(jìn)的納米級(jí)加工設(shè)備和快速工藝迭代能力，該工藝團(tuán)隊(duì)通過大量工藝驗(yàn)證與優(yōu)化，以深紫外（DUV）光刻與薄膜刻蝕的組合工藝，系統(tǒng)解決了晶圓級(jí)光子芯片集成瓶頸。

濱湖區(qū)是無錫集成電路產(chǎn)業(yè)主要聚集區(qū)之一。這里構(gòu)建了國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)中心、清華無錫研究院智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心等一批高能級(jí)科創(chuàng)平臺(tái)；集聚集成電路企業(yè)200余家，建成以中科芯、卓勝微、國(guó)芯微電子等企業(yè)為代表的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)集群，入選全省特色產(chǎn)業(yè)集群。2024年集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收133.1億元，增幅20.16%。