編者按:LED元件在2005年的全球市場規(guī)模約為57.4億美元,其中50%在日本,20%在臺灣。除了各種應用照明、戶外建筑及手機背光源等應用外,業(yè)界正在積極找尋各種新應用;本文介紹了LED的基本原理、技術趨勢,以及市場動態(tài)。 Y|%anTP
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LED技術研發(fā)之路,最為人津津樂道的故事,就是開發(fā)藍光LED時,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩大門派之爭。這也是許多研發(fā)團隊辛勤投入開發(fā)藍光LED元件時,必須痛苦抉擇的兩條截然不同的道路。 XGE
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之前,全球許多大公司皆投入SiC研發(fā),結果日本一家專門做熒光粉業(yè)務的公司——日本日亞化工公司(Nichia Chemical Industries Ltd.)的研發(fā)人員中村修二先生(Shuj Nakamura)於1994年和1995年,在氮化鎵(GaN)研究方面獲得重大突破,并取得震驚全球的專利。這位研發(fā)人員的重大突破,引發(fā)了包括Sony及Toshiba等大廠的最高主管都出面為自己所做的錯誤決策導致技術落後而道歉。這位Nakamura的技術突破,讓氮化鎵(GaN)陣營正式快速超越SiC。 Smq
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