激光測距專用雪崩光電二極管(APD) vA r
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激光測距專用雪崩光電二極管(APD)雪崩光電二極管供 供雪崩光電二極管(APD) 暗電流小頻譜響應范圍在440nm至1,100nm之間 XYM 5'  
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光電探測器是將光信號轉變?yōu)殡娦盘柕钠骷�。在半導體光電探測器中，入射光子激發(fā)出的光生載流子在外加偏壓下進入外電路后，形成可測量的光電流。PIN光電二極管即使在最大的響應度下,一個光子最多也只能產生一對電子-空穴對,是一種無內部增益的器件。為了獲得更大的響應度,可以采用雪崩光電二極管(APD)。APD對光電流的放大作用基于電離碰撞效應,在一定的條件下,被加速的電子和空穴獲得足夠的能量,能夠與晶格碰撞產生一對新的電子-空穴對,這種過程是一種連鎖反應,從而由光吸收產生的一對電子-空穴對可以產生大量的電子-空穴對而形成較大的二次光電流。因此APD具有較高的響應度和內部增益，這種內部增益提高了器件的信噪比。APD將主要應用于長距離或接收光功率受到其它限制而較小的光纖通信系統(tǒng)。目前很多光器件專家對APD的前景十分看好 G; *jL4  
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雪崩光電二極管（APD）單光子探測器 S3G9/  
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  雪崩光電二極管不同于光電倍增管，它是一種建立在內光電效應基礎上的光電器件。雪崩光電二極管具有內部增益和放大的作用，一個光子可以產生10~100對光生電子空穴對，從而能夠在器件內部產生很大的增益。雪崩光電二極度管工作在反向偏壓下，反向偏壓越高，耗盡層當中的電場強度也就越大。當耗盡層中的電場強度達到一定程度時（材料不同，電場大小也不一樣，如：Si-APD為105V/cm），耗盡層中的光生電子空穴對就會被電場加速，而獲得巨大的動能，它們與晶格發(fā)生碰撞，就會產生新的二次電離的光生電子空穴對，新的電子空穴對又會在電場的作用下獲得足夠的動能，再一次與晶格碰撞又產生更多的光生電子空穴對，如此下去，形成了所謂的“雪崩”倍增，使信號電流放大。 v9<'nU WVR  
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低噪聲、快響應、高靈敏度、高帶寬、低造價，主要用于雪崩光電二極管單光子探測器，激光探測、測距、激光測距機、激光經緯儀 警戒雷達。 )Uk!;b  
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