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關(guān)注
任務(wù)
換內(nèi)存是單條16G還是8Gx2的好？ 回到最初的問題，選單根還是分兩根進(jìn)行組合？答案當(dāng)然是后者。至于為什么，我們可以通過內(nèi)存頻率、時(shí)序還有電壓之間的關(guān)系進(jìn)行解答。  內(nèi)存頻率，一般在內(nèi)存條的包裝盒或者標(biāo)簽上就可以直接獲知，例如影馳HOF EXTREME內(nèi)存的包裝盒上已經(jīng)標(biāo)明頻率是3600MHz。當(dāng)然，我們也可以利用CPU-Z、影馳極光幻影光效系統(tǒng)等內(nèi)存軟件進(jìn)行查看 通常情況下，內(nèi)存頻率的高低，決定了內(nèi)存性能的強(qiáng)弱。內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存的性能就越強(qiáng)，運(yùn)行速度也會(huì)更快。  關(guān)于內(nèi)存時(shí)序，它同樣是衡量內(nèi)存條性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，表示內(nèi)存處理數(shù)據(jù)所需要等待的時(shí)間。 所以，時(shí)序參數(shù)越小，意味著內(nèi)存處理數(shù)據(jù)的速度就越快。在這一點(diǎn)上它與內(nèi)存頻率的表示恰恰相反，以影馳HOF DDR4系列內(nèi)存的延遲對(duì)比舉例說明： DDR4-3200 CL 14-14-14 34 CL14延遲計(jì)算（1/3200MHz）*14=4.37納秒 DDR4-3600 CL 17-18-18 38 CL17延遲計(jì)算（1/3600MHz）*17=4.72納秒 DDR4-4000 CL 19-25-25 45 CL19延遲計(jì)算（1/4000MHz）*19=4.75納秒 可以看出，內(nèi)存時(shí)序越低，延遲就越低。如果時(shí)序固定，頻率越高，延遲也會(huì)更低，內(nèi)存速度自然更快！ 電壓方面，每代內(nèi)存都有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值。目前主流的DDR4內(nèi)存默認(rèn)電壓為1.2V，DDR3的為1.5V，DDR2則是2V起步。  相較于頻率和時(shí)序，內(nèi)存電壓的存在感并沒有前兩者強(qiáng)。但并不意味著它不重要，尤其是超頻時(shí)其影響更加明顯。  |
