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    [推薦]真空鍍膜 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2007-01-05
    這是一個(gè)實(shí)驗(yàn) 不錯(cuò)的實(shí)驗(yàn) .c ~z^6x  
    實(shí)驗(yàn)35 真空鍍膜 zA8@'`Id  
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    真空鍍膜技術(shù),在現(xiàn)代工業(yè)和科技中有廣泛的應(yīng)用,例如光學(xué)儀器上的各種反射膜、增透膜和濾光片、電子器件中的薄膜電阻、大規(guī)模集成電路、硬質(zhì)保護(hù)膜、磁性薄膜等。通過(guò)本實(shí)驗(yàn)可掌握真空鍍膜的實(shí)驗(yàn)原理和方法。 beC%Tnb7  
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    [實(shí)驗(yàn)?zāi)康腯 biU_ImJ>0  
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    1、熟悉真空的獲得與測(cè)量方法。 y(MB _B7j  
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    2、掌握高真空蒸發(fā)鍍膜的基本工藝技術(shù)。 1}c'UEr%)  
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    [實(shí)驗(yàn)原理] -{ 1P`&G  
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    真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環(huán)境中,用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度,使材料中分子或原子的熱振動(dòng)能量超過(guò)表面的束縛能,從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華,并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)的作用下的高速運(yùn)動(dòng)轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子或分子逸出來(lái)而沉淀到被鍍工件的表面,形成所需要的薄膜。 kHylg{i{"  
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    真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法,其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,操作方便;缺點(diǎn)是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點(diǎn)。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對(duì)被轟擊材料加熱,電子束的動(dòng)能變成熱能,使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源,但由于大功率激光器的造價(jià)很高,目前只能在少數(shù)研究性實(shí)驗(yàn)室中使用。 ~F@n `!c  
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    濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面(靶),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大多呈原子狀態(tài),常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子,離子或中性粒子,因?yàn)殡x子在電場(chǎng)下易于加速獲得所需要?jiǎng)幽埽虼舜蠖疾捎秒x子作為轟擊粒子。濺射過(guò)程建立在輝光放電的基礎(chǔ)上,即濺射離子都來(lái)源于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電;三極濺射是利用熱陰極支持的輝光放電;射頻濺射是利用射頻輝光放電;磁控濺射是利用環(huán)狀磁場(chǎng)控制下的輝光放電。 =CRptk6tS  
    p\&/m  
    濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比,有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射,尤其是高熔點(diǎn),低蒸氣壓的元素和化合物;濺射膜與基板之間的附著性好;薄膜密度高;膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比較復(fù)雜,需要高壓裝置。 L;u 永靖县| 肃北| 邯郸县| 大庆市| 陆丰市| 达拉特旗| 万年县| 碌曲县| 花莲县| 阳山县| 思茅市| 商都县| 丘北县| 嘉禾县| 沈丘县| 普洱| 彭阳县| 河北区| 翁牛特旗| 澳门| 两当县| 广水市| 宁晋县| 娄烦县| 西丰县| 资阳市| 紫金县| 广灵县| 镇赉县| 西城区| 东光县| 都江堰市| 万年县| 鄂托克旗| 徐汇区| 时尚| 鹿邑县| 罗城| 辽源市| 蓬安县| 满城县|