這是一個(gè)實(shí)驗(yàn) 不錯(cuò)的實(shí)驗(yàn)
.c~z^6x 實(shí)驗(yàn)35 真空鍍膜
zA8@'`Id l)dE7$H 真空鍍膜技術(shù),在現(xiàn)代工業(yè)和科技中有廣泛的應(yīng)用,例如光學(xué)儀器上的各種反射膜、增透膜和濾光片、電子器件中的薄膜電阻、大規(guī)模集成電路、硬質(zhì)保護(hù)膜、磁性薄膜等。通過(guò)本實(shí)驗(yàn)可掌握真空鍍膜的實(shí)驗(yàn)原理和方法。
beC%Tnb7 %Zbm%YaW5 [實(shí)驗(yàn)?zāi)康腯
biU_ImJ>0 '"\'<>Be 1、熟悉真空的獲得與測(cè)量方法。
y(MB_B7j (tOhuSW 2、掌握高真空蒸發(fā)鍍膜的基本工藝技術(shù)。
1}c'UEr%) ]X77?Zz9 [實(shí)驗(yàn)原理]
-{ 1P`&G "C\yM{JZ 真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環(huán)境中,用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度,使材料中分子或原子的熱振動(dòng)能量超過(guò)表面的束縛能,從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華,并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)的作用下的高速運(yùn)動(dòng)轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子或分子逸出來(lái)而沉淀到被鍍工件的表面,形成所需要的薄膜。
kHylg{i{" ;nP(S`' 真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法,其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,操作方便;缺點(diǎn)是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點(diǎn)。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對(duì)被轟擊材料加熱,電子束的動(dòng)能變成熱能,使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源,但由于大功率激光器的造價(jià)很高,目前只能在少數(shù)研究性實(shí)驗(yàn)室中使用。
~F@n `!c !cYID \}S, 濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面(靶),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大多呈原子狀態(tài),常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子,離子或中性粒子,因?yàn)殡x子在電場(chǎng)下易于加速獲得所需要?jiǎng)幽埽虼舜蠖疾捎秒x子作為轟擊粒子。濺射過(guò)程建立在輝光放電的基礎(chǔ)上,即濺射離子都來(lái)源于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電;三極濺射是利用熱陰極支持的輝光放電;射頻濺射是利用射頻輝光放電;磁控濺射是利用環(huán)狀磁場(chǎng)控制下的輝光放電。
=CRptk6tS p\&/m 濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比,有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射,尤其是高熔點(diǎn),低蒸氣壓的元素和化合物;濺射膜與基板之間的附著性好;薄膜密度高;膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比較復(fù)雜,需要高壓裝置。
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