介紹 "|EM;o  
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要模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達到更快的模擬時間） MI/MhkS ?  
  為了精確模擬線性錐形硅波導，錐形的網(wǎng)格尺寸應該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 PQy4{0 _  
光源在時域中設(shè)置為CW（λ= 1.55 um），在空間域上設(shè)置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導的硅紙尖端。 ;D3C>7y  
注意：模擬時間應足夠長，以確保穩(wěn)態(tài)結(jié)果 XW[j!`nlk  
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圖片:1-1P914121Z0N9.png

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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) [$mHv,~  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); ^]H5h 清水河县| 鹤庆县| 邯郸市| 呈贡县| 大厂| 东城区| 杨浦区| 皋兰县| 舞钢市| 汶川县| 吉安县| 徐水县| 宁安市| 贞丰县| 富民县| 黄骅市| 长汀县| 开原市| 广东省| 抚松县| 南澳县| 泰顺县| 白山市| 南投县| 佳木斯市| 且末县| 淅川县| 三河市| 饶河县| 大港区| 望城县| 永宁县| 蓝田县| 寻甸| 黔西| 安乡县| 长泰县| 闵行区| 临沧市| 庄河市| 临高县|