介紹 N'l
2$8  
"cjD-42  
要模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達(dá)到更快的模擬時(shí)間） :f_oN3F p  
  為了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 :9x]5;ma  
光源在時(shí)域中設(shè)置為CW（λ= 1.55 um），在空間域上設(shè)置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導(dǎo)的硅紙尖端。 |f1^&97=+  
注意：模擬時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，以確保穩(wěn)態(tài)結(jié)果 n;vZY  
VQ2'a/s  

圖片:1-1P914121Z0N9.png

h -091N  
S5Pn6'w  
[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) 7zU~X,  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); d1t_o2  
q&NXF(  
3D FDTD仿真 *}Z  
Y$)y:.2#  
要模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達(dá)到更快的模擬時(shí)間） QGGBI Ku   
  為了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 dNqj 吕梁市| 长治市| 沙河市| 杂多县| 财经| 黑水县| 色达县| 都昌县| 南汇区| 麻栗坡县| 凌源市| 宜阳县| 汶上县| 天水市| 嘉善县| 西吉县| 新沂市| 敖汉旗| 鹤庆县| 岳池县| 大姚县| 静宁县| 安岳县| 镇原县| 霍林郭勒市| 洛川县| 永州市| 尚义县| 汨罗市| 石狮市| 清水县| 灌南县| 卢湾区| 句容市| 金寨县| 噶尔县| 临泽县| 朔州市| 禹州市| 临西县| 大名县|