半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)主要分為 IC 設(shè)計(jì)、 IC 制造、 IC 封測(cè)三大環(huán)節(jié)。 IC 設(shè)計(jì)主要根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)目的進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)和規(guī)則制定，并根據(jù)設(shè)計(jì)圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。 IC 制造實(shí)現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，并實(shí)現(xiàn)預(yù)定的芯片功能，包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械研磨等步驟。 IC 封測(cè)完成對(duì)芯片的封裝和性能、功能測(cè)試，是產(chǎn)品交付前的最后工序。
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E|f[ #+:+ 芯片制造核心工藝主要設(shè)備全景圖
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生產(chǎn)中需要進(jìn)行 20-30 次的光刻，耗時(shí)占到 IC 生產(chǎn)環(huán)節(jié)的 50%左右，占芯片生產(chǎn)成本的 1/3。
:}v-+eIQ rnj$u-8 光刻工藝流程詳解
IB[$~sGe R>"Fc/{y 光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實(shí)現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉(zhuǎn)移。
}l7+W4~ >[|N%9\ 光刻完成后對(duì)沒有光刻膠保護(hù)的硅片部分進(jìn)行刻蝕，最后洗去剩余光刻膠， 就實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體器件在硅片表面的構(gòu)建過程。
c]ARgrH- X n!mdR 光刻分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負(fù)性光刻使用的光刻膠在曝光后會(huì)因?yàn)榻宦?lián)而變得不可溶解，并會(huì)硬化，不會(huì)被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會(huì)在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負(fù)性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。
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U*$P "sS` 在硅片表面構(gòu)建半導(dǎo)體器件的過程
