隨著集成電路設計和制造進入超深亞微米(VDSM)階段，特征尺寸已經接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長，因此光刻過程中，由于光的衍射和干涉現(xiàn)象，實際硅片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在一定的變形和偏差，光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產成品率．為盡量消除這種誤差，一種有效的方法是光學鄰近效應矯E_(oPc)方法．目前由于OPC矯正處理時間過長，產生的文件大小呈指數級增長，使掩膜版的制造成本成倍地增加．文中首先針對OPC矯正技術進行了深入研究，提出了具有圖形分類預處理功能的自適應OPC矯正技術，將芯片圖形按其對性能的影響分為關鍵圖形與一般圖形，對兩類圖形采用不同的容差，提高了OPC處理效率．其次，提出并實現(xiàn)了圖形分段分類的基于模型的OPC矯正算法，在保證矯正精度的同時提高了矯正的效率．提出了具有通用性、簡潔性和全面性的OPC矯正規(guī)則，在此基礎上實現(xiàn)了規(guī)則庫的自動建立和規(guī)則庫的查找與應用，實現(xiàn)了效率高、擴展性強的基于規(guī)則的掩膜版矯正算法．算法對規(guī)則數據進行有效地描述、存儲和處理，提高了光刻矯正技術實際應用效率．第三，設計實現(xiàn)了高效、高精度的光學鄰近效應矯正系統(tǒng)MR—OPC，系統(tǒng)綜合應用了基于規(guī)則的OPC矯正技術和基于模型的OPC矯正技術，很好地解決了矯正精度和矯正效率之間的矛盾，取得了最佳的矯正優(yōu)化結果。 \iaZV.#f
