我這里有一篇關(guān)于霍爾源的文章,拿出來大家分享吧!
55ft,a }USOWsLSt 關(guān)于霍爾離子源的幾個問題
MDZPp;\) 尤大偉 任荊學(xué) 黃小剛 武建軍
i91k0q*di (中國科學(xué)院空間中心 北京8701信箱 100080 )
hW9U%-D Several concerning about Hall Ion Source for assisted deposition.
kQp*+ras You dawei Ren jingxue Huang xiaogang Wu jianjun
Nza@6nI" (Soace Science and Application Research Center Academy Cinica P.O.Box8701 Beijing 100080 P.R.China )
caxOxRo\ Abstract: the object of our efforts is to improve design of Hall Ion Source in order to obtain broad energy range, large ion beam current, low gas cost, low contaminations and automatic control performances.
{Iz"]Wh<f 摘要:本文目的在于改進(jìn)霍爾源的設(shè)計,實現(xiàn)寬能、大束流、低氣耗、低污染、能自動化控制的新一代霍爾源。
_S,UpR~2W 關(guān)鍵詞:光學(xué)鍍膜,離子束輔助鍍膜,等離子體加速。
_gEojuaN 一、 前言
$Wjx$fD 我們設(shè)計制造了6cm霍爾等離子源。該源的主要性能如下:
C~WWuju' 源尺寸Ф14cm×14cm;真空室直徑700-1000mm;照射距離30-50 cm;離子束平均能量40-120ev;離子束流可到1000ma;工作壓力<4×10-2Pa ;磁場:永久磁鐵;氣體流量5-15 Sccm。經(jīng)過改進(jìn),我們擴大了平均能量范圍40-150ev,離子束流可達(dá)到1200ma,也降低了氣耗。
n5#QQk2 我們采用了與眾不同的磁場設(shè)計{1},流行的磁場是從中心引出向端部發(fā)散,而本磁場是沿著陽極邊緣引出向端部發(fā)散。這種磁場有利于提高氣體效率及放電效率。離子流與放電電流比可達(dá)到1/3。可在較低氣壓(1×10-2-2×10-2Pa)及較小氣流量Ar5-10Sccm下運行。
^Rtxef 我們盡知,該離子源是通過磁場加速及電場加速的二種過程,磁場加速只發(fā)生在端部,在陽極前一個電子回旋半徑范圍內(nèi)進(jìn)行,而在錐形陽極前獲得電場加速。因此,離子束的能散度較大。通常離子束平均能量為0.6Va,其中Va 為所施加的陽極電壓。離子束能量的均方根能散為0.3 Va 。對于流行的Mark-2產(chǎn)品而言,所能采用的陽極電壓是70-170V,相應(yīng)離子束能量是40-100ev。該能量對于光學(xué)鍍膜某些產(chǎn)品稍嫌不足。但使用更高陽極電壓將引起放電不穩(wěn)定,是不可取的。使放電不穩(wěn)定的主要因素是因為在離子產(chǎn)生區(qū)內(nèi)沒有足夠的電子可供進(jìn)氣原子的電離,產(chǎn)生放電等離子體。該電子是下游放射的電子經(jīng)磁場的非正常擴散的回流進(jìn)入上游放電區(qū)的電子。為了擴大離子束能量范圍,必須對影響電子回流的諸因素進(jìn)行討論。
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