假定我們在晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說，但是但實際鍍膜過程中我們會看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會有鉆坑，這時要穩(wěn)定原來的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動時時控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時時輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問題。

晶控儀測量速率，并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率，容易理解和實現(xiàn)。） T.])diuvj-  
而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因為晶控儀還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 `fA@hK   
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點、能做多厚膜，材料減少過程中坩堝狀態(tài)會有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時間等參數(shù)，保護電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 K%,2=.  
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