假定我們在晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說，但是但實際鍍膜過程中我們會看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會有鉆坑，這時要穩(wěn)定原來的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動時時控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時時輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問題。

晶控儀測量速率，并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率，容易理解和實現(xiàn)。） x\;`x$3t  
而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因為晶控儀還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 9= \bS6w*  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點、能做多厚膜，材料減少過程中坩堝狀態(tài)會有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時間等參數(shù)，保護電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 EmG`ga)s  
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自動情況下，一般是晶控儀的功率輸出（模擬量，如0~10V，在界面上顯示百分比功率）直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接，最后相當于直接控制。 W"VN2  
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膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商

morningtech:晶控儀測量速率，并且只能通過調(diào)節(jié)功率來調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來調(diào)整沉積速率，容易理解和實現(xiàn)。） `lN1u'(:  
而無視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因為晶控儀還沒有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 dZ`nv[]k~  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點、能做多厚膜，材料減少過程 .. (2019-07-15 19:59)  7{8!IcR #  

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謝謝您的回復(fù)，想了想假設(shè)參數(shù)條件正常，現(xiàn)觀測到速率曲線不穩(wěn)定，同時輸出功率也在波動，那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢必也是在不斷調(diào)整中，那么問題來了，也就是您所說的有上述原因，因為不可控因素，故只能合理變向改善工藝已及根據(jù)材料特性作出對結(jié)果有利的參數(shù)

有些因素不是不可控，只是對晶控儀來說不可控。 { tim{nV  
沉積速率不穩(wěn)定的原因，有很多方面。 hk}M'  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系統(tǒng)自身也存在原因： f.V0uBDN  
晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況（如新舊）。PID參數(shù)，甚至晶控儀自身老化。都是原因。 AG/nX?u7)t  
另一方面，速率穩(wěn)定是相對的，10%以內(nèi)變化一般可以接受。 9]1-J5iO  
膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商

能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 ;vQ7[Pv.j  
你的情況，如果沒法用大一點的坩堝，那只能分兩個坩堝鍍膜了。 W%Br%VQJ  

確實因素多，忽然想起您說的離子源問題對晶控有影響，這也是光控的好處。以實際情況排查是最可靠的，遇到過因冷卻情況的，還有晶控線針頭式接觸的，貪圖低價貨晶振片劃痕，針孔的，頻率降的極快。對了，您能給個聯(lián)系方式我嗎？

ouyuu:能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 UStZ3A'  
你的情況，如果沒法用大一點的坩堝，那只能分兩個坩堝鍍膜了。 UyEyk$6SU  
 (2019-07-17 23:09)  Y