1.晶片的正確使用： q'1rSK  
   固好晶片的材料原則上要求室內(nèi)濕度在40以下。 yCmiW %L4  
   晶片擴張溫度設定：自動片藍膜：40℃±10℃； S(rA96n  
   手動片白膜：40℃±10℃ Jj([O2Eq$  
   擴張越開，背膠膠量好管控，不易造成銀膠過高IR，間隔以1.86 mm為     佳。銀膠量為晶片高度的2/5最佳，(1/4~1/2晶片高度)。 paiF ah  
2. Bonding 焊接位置及壓力對晶片電性均會有影響。 m+V'*[O{  
    B/D壓力重易打損晶片造成晶片內(nèi)崩，另接電面積小，第一焊點位置打 偏也會影響IR。故要求每換不同型號的晶片，焊線均需調整距離（鋼嘴到第一焊點的距離）及壓力。 //AS44^IS  
3.檢測條件：電流設定：20mA； SFh6'v'1N@  
電壓（VFV）設定根據(jù)不同晶片規(guī)格設定： )TP7gLv=b  
E：2.0；  G：2.1；  Y：2.1；  H：2.1； C9*'.~  
SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。 Mb+cXdZb
 
影響晶片特性的主要因素： :PjHs