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CP、FT、WAT J5Pi"U$FkY  
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CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測(cè)試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。 Em6P6D>S>,  
現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 uT1xvXfqP  
CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來測(cè)試 ,zXP,(x  
而FT則對(duì)封裝好的Chip來測(cè)試。 DPV>2' fV  
CP  Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。 ct o+W}k  
WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專門的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； %*:X FB  
CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高； fyHFfPEE  
FT是packaged chip level的Final Test，主要是對(duì)于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試； [k<"@[8)  
Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual o}^/Km+t  
CP 測(cè)試對(duì)Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。 ayGYVYi  
CP是對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，檢查fab廠制造的工藝水平 ^ &UezDTS  
FT是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試，檢查封裝廠制造的工藝水平 U-h'a: K  
對(duì)于測(cè)試項(xiàng)來說，有些測(cè)試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測(cè)試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測(cè)試了，節(jié)省了FT測(cè)試時(shí)間；但是有些測(cè)試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測(cè)試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求） H|