摘要：半導體產(chǎn)業(yè)是高科技、信息化時代的支柱。光刻技術(shù)，作為半導體產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一，已成為世界各國科研人員的重點研究對象。本文綜述了激光等離子體13.5 nm極紫外光刻的原理和國內(nèi)外研究發(fā)展概況，重點介紹了其激光源、輻射靶材和多層膜反射鏡等關(guān)鍵系統(tǒng)組成部分。同時，指出了在提高激光等離子體13.5 nm極紫外光源輸出功率的研究進程中所存在的主要問題，包括提高轉(zhuǎn)換效率和減少光源碎屑。特別分析了目前已實現(xiàn)百瓦級輸出的日本Gigaphoton公司和荷蘭的ASML公司的極紫外光源裝置。最后對該項技術(shù)的發(fā)展前景進行了總結(jié)與展望。 ZuZCIqN
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關(guān)鍵詞：13.5 nm極紫外光刻技術(shù)；激光等離子體；極紫外光源；轉(zhuǎn)換效率；光源碎屑；預脈沖激光
