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只看樓主倒序閱讀樓主發(fā)表于: 2020-08-03

HAMR是以激光增加磁錄寫的極限，MAMR是以微波增加磁錄寫的極限，超過傳統(tǒng)錄寫的100倍。可以達(dá)到每平方英寸２50 Tbits的存儲容量。

工業(yè)界相信使用HAMR技術(shù)就能在2023年生產(chǎn)出30TB的硬盤。

業(yè)界仍致力于HAMR并且達(dá)到每平方英寸1.5 Tbits的存儲容量，下一個(gè)技術(shù)哩程碑的硬盤將達(dá)40TB。

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