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臺(tái)積電大規(guī)模購買EUV光刻機(jī) 以提高產(chǎn)能保持業(yè)界領(lǐng)先地位 同時(shí)，明年臺(tái)積電實(shí)際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺(tái)EUV光刻機(jī)。 目前，臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點(diǎn)上制造芯片，但在未來幾個(gè)季度，該公司將增加N6（實(shí)際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺(tái)積電對(duì)EUV工具的需求正在增加是因?yàn)槠浼夹g(shù)越來越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺(tái)積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時(shí)多圖案技術(shù)的使用。   根據(jù)ASML的官方數(shù)據(jù)，2018年至2019年，每月產(chǎn)能約4.5萬片晶圓（WSPM），一個(gè)EUV層需要一臺(tái)Twinscan NXE光刻機(jī)。隨著工具生產(chǎn)效率的提高，WSPM的數(shù)量也在增長。如果要為一個(gè)準(zhǔn)備使用N3或更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝的GigaFab（產(chǎn)能高于每月10萬片）配備設(shè)備，臺(tái)積電在該晶圓廠至少需要40臺(tái)EUV光刻設(shè)備。 ASML最新推出的Twinscan NXE:3400B和NXE:3400C光刻系統(tǒng)價(jià)格相當(dāng)昂貴。早在10月份，ASML就透露，其訂單中的4套EUV系統(tǒng)價(jià)值5.95億歐元(約合7.03億美元)，因此單臺(tái)設(shè)備的成本可能高達(dá)1.4875億歐元(1.7575億美元)。也就是說，13套EUV設(shè)備可能要花費(fèi)臺(tái)積電高達(dá)22.84億美元。 但在EUV工具方面，錢并不是唯一的考慮因素。ASML是唯一生產(chǎn)和安裝EUV光刻機(jī)的公司，它的生產(chǎn)和安裝能力相對(duì)有限。在對(duì)其生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整后，該公司認(rèn)為可以將單臺(tái)機(jī)器的周期縮減到20周，這樣一來，每年的產(chǎn)能將達(dá)到45到50套系統(tǒng)。 今年的前三季度，ASML已經(jīng)出貨了23臺(tái)EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)全年銷售量比2020年原計(jì)劃的35臺(tái)少一點(diǎn)。截至目前，ASML已累計(jì)出貨83臺(tái)商用EUV光刻機(jī)（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度銷售的NXE:3350B、NXE:3400B和NXE:3400C）。如果臺(tái)積電官方關(guān)于擁有全球已安裝和運(yùn)行Twinscan NXE光刻機(jī)中約50%這個(gè)說法是正確的，那么目前可能已經(jīng)擁有30至40臺(tái)EUV光刻機(jī)。   臺(tái)積電當(dāng)然不是唯一采購大量EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體制造商。三星目前只使用EUV工藝來生產(chǎn)其7LPP和5LPE SoC以及一些DRAM，但隨著三星晶圓廠擴(kuò)大EUVL工藝在生產(chǎn)上的應(yīng)用，三星半導(dǎo)體也提高了基于EUV工藝的DRAM的生產(chǎn)，最終將不可避免地采購更多的Twinscan NXE光刻機(jī)。預(yù)計(jì)英特爾也將在2022年開始使用其7nm節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)芯片時(shí)，將開始部署EUVL設(shè)備，很可能在未來幾年成為EUVL設(shè)備的主要采用者之一。 |
