摘要：極紫外光刻(EUVL)是半導(dǎo)體工業(yè)實(shí)現(xiàn)32～16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的候選技術(shù)，而極紫外曝光光學(xué)系統(tǒng)是EUVL的核心部件，它主要由照明系統(tǒng)和微縮投影物鏡組成。本文介紹了國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的EUVL實(shí)驗(yàn)樣機(jī)及其系統(tǒng)參數(shù)特性；總結(jié)了EUVL光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則，分別綜述了EUVL投影光學(xué)系統(tǒng)和照明光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求；描述了EUVL投影曝光系統(tǒng)及照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法；重點(diǎn)討論了適用于22nm節(jié)點(diǎn)的EUVL非球面六鏡投影光學(xué)系統(tǒng)，指出了改善EUVL照明均勻性的方法。 wjGjVTtHs
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關(guān)鍵詞：極紫外光刻；投影光學(xué)系統(tǒng)；照明光學(xué)系統(tǒng)；光學(xué)設(shè)計(jì)
