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- 注冊時間2020-06-19
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在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序: 9&jNdB • 生成材料 VUhu"h@w% • 插入波導(dǎo)和輸入平面 breVTY7 S • 編輯波導(dǎo)和輸入平面的參數(shù) Tl-B[CT • 運行仿真 < ,n4|z) • 選擇輸出數(shù)據(jù)文件 KLB?GN?Pb • 運行仿真 pm|]GkM • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具 (CwaOm{g %oQj^r!Xd 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上,對仿真過程進(jìn)行了簡化描述。如果需要更多細(xì)節(jié)信息,可參閱之前課程中提供的操作。 m#P&Yd4T :a`m9s 4 本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2:創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型(下文簡稱為MMI)耦合器)的進(jìn)一步改進(jìn)。它是由一個輸入波導(dǎo)、一個MMI耦合器以及四個輸出波導(dǎo)組成。步驟如下: J]e&z5c • 定義MMI星型耦合器的材料 R'U(]&e.j • 定義布局設(shè)置 4,8 =[ • 創(chuàng)建MMI星形耦合器 "[,XS` • 運行模擬 g Q^]/X • 查看最大值 ^|z>NV5> • 繪制輸出波導(dǎo) T!r7RS • 為輸出波導(dǎo)分配路徑 /qr8 • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果 7 |A,GH • 添加輸出波導(dǎo)并查看新的仿真結(jié)果 |&.)_+w • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果 NmXTk+,L# 1. 定義MMI星型耦合器的材料 |M&/(0 要定義單向彎曲器件的材料,請執(zhí)行以下步驟。 D:0PppE 步驟 操作 0SYkDI 1) 創(chuàng)建一個介電材料: h[?28q$ 名稱:guide XFYl[?`G 相對折射率(Re):3.3 /PlsF 2) 創(chuàng)建第二個介電材料 eA_4,"{ 名稱: cladding 1:8: yFV 相對折射率(Re):3.27 L|Iq#QX| 3) 點擊保存來存儲材料 J.(_c'
r 4) 創(chuàng)建以下通道: 7v_e"[s~ 名稱:channel lw{|~m5` 二維剖面定義材料: guide 7y3; F7V 5 點擊保存來存儲材料。 z~al
h?H d29HEu 2. 定義布局設(shè)置 ,#6\:i 要定義布局設(shè)置,請執(zhí)行以下步驟。 3&
$E 步驟 操作 h9mR+ng*oD 1) 鍵入以下設(shè)置。 gf@Dy6< a. Waveguide屬性: cE[lB08 寬度:2.8 5;*C0m2%i 配置文件:channel "lt[)3* b. Wafer尺寸: r`
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