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    [分享]Macleod中的偏振 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 正序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2021-07-01
    我們用偏振來描述光波電場的方向。雖然是很復(fù)雜,但它的影響是完全明確和可計(jì)算的。圖1顯示了一個(gè)簡單的長波通濾波器在斜入射時(shí)的計(jì)算性能,其曲線標(biāo)記為p-偏振、s-偏振和平均極化。這些名稱是什么意思? 9K@`n:Rw  
    r_@;eh  
    QuT8(s1Q!  
    圖1. 在45°條件下計(jì)算的600nm長波通濾光片,顯示了P偏振、S偏振和平均偏振的透射率。
    r[q-O&2&  
    讓我們將討論局限于完全各向同性的材料。所涉及的過程是線性的,允許我們將任何問題分解為一系列可以單獨(dú)遵循的簡單分量。對(duì)于Essential Macleod中的所有計(jì)算,基本分量是線偏振平面波(或單色光)。 |k^'}n  
    =Qsh3b&<P  
    當(dāng)我們討論偏振時(shí),我們經(jīng)常提到線偏振或平面偏振、圓偏振和橢圓偏振。在計(jì)算中,所有這些偏振被表示為兩個(gè)正交線偏振的組合,其可以單獨(dú)計(jì)算并且在透射或反射中的取向不變。它們有時(shí)被稱為偏振的本征模式,這在斜入射時(shí)尤為重要。光學(xué)薄膜的作用是改變每種組分的振幅和相位。膜層的性能量化了這些變化。 Ra%RcUf~sh  
    pTprU)sa7  
    如果沒有參考系,那么這些性能參數(shù)是沒有意義的,我們需要定義基準(zhǔn)軸,電場的正方向,以及我們比較相位的點(diǎn)。Z軸垂直于膜層表面,其正方向與入射方向一致。X軸沿著膜層表面,與Z軸一起定義入射面。原點(diǎn)是Z軸與前表面面或入射面的交點(diǎn)。我們通常將入射面可視化為顯示系統(tǒng)的平面,Y軸垂直于顯示器,并向外指向觀察者。 i`z1if6O  
    %qV=PC  
    在垂直入射時(shí),對(duì)線性偏振方向影響,因此我們將入射波中的電場的正方向設(shè)置為沿著正y軸。相同的慣例適用于反射波和透射波。對(duì)于相位參考點(diǎn),我們選擇入射波和反射波的坐標(biāo)原點(diǎn),但是z軸從發(fā)射波的后表面或出射表面出現(xiàn)的點(diǎn),我們選擇時(shí)間變量,使入射波的相位在參考點(diǎn)處為零。然后,反射和透射波的相位也就是反射和透射的相位變化。圖2顯示了這種約定。 .Quu_S_ vH  
    + Hc[5WL  
    我們約定中的不連續(xù)性會(huì)造成很大的困難,因此我們確保斜入射約定與正常入射約定兼容。我們需要一個(gè)s和p偏振的約定,因此選擇電場的正方向,如圖3所示。很明顯,這一慣例在正常情況下崩潰,如圖2所示。 X#Y0g`muW  
    A Ns.`S  
    圖2. 電矢量正方向的垂直入射慣例。這適用于所有可能的線偏振方向。
    mHM38T9C%  
    圖3. p和s偏振的電矢量正方向的慣例。
    :p;!\4)u  
    反射率R和透射率T是計(jì)算的重要參數(shù),我們必須小心它們在斜入射時(shí)的定義。所涉及的光是無限大的平面波,它們超出了我們的接收器。在沒有吸收的情況下,我們希望R和T相加等于一個(gè)單位(或100%),但是由于折射以及接收器位置的原因,這將無法實(shí)現(xiàn)。因此,我們在計(jì)算中使用輻照度的垂直分量。當(dāng)光束直徑小于接收器的光束直徑時(shí),該定義與使用受限光束(例如來自激光器的光束)的測量完全一致。 lr=? &>MXj  
    D\}^<HW  
    除了反射率和透射率外,其他基本參數(shù)是參考點(diǎn)處反射波和透射波相對(duì)于入射波相位的變化。 x{*g^f  
    t:eZ`6o$T\  
    Paul Drude在19世紀(jì)末發(fā)明了橢圓偏振光譜法,作為測量金屬光學(xué)常數(shù)的技術(shù)。測量橢圓偏振的形狀僅涉及相對(duì)測量,避免了絕對(duì)測量的巨大困難。定義橢圓需要兩個(gè)量,它們可以采用不同的形式。 橢圓度和方向角是兩個(gè)這樣的量,但最常見的是沿兩個(gè)定義的參考軸測量的振幅的比率及其相對(duì)相位。 不幸的是,振幅比可以從零到無窮大變化,這是一個(gè)困難的范圍,更合適的數(shù)量是它的反正切。 如果參考方向是x,y和z,則z是沿著傳播方向,當(dāng)我們定義兩個(gè)角度量時(shí),ψ(psi)和Δ(delta)為 %nSm 32/t3  
    S*Qip,u  
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