PC基底硬化后進(jìn)行加霍爾離子源輔助熱鍍（100°C-200°C）ITO膜，氧分壓在2.2-2Pa，鍍完也都有冷卻1小時(shí)以上，但鍍完100℃烘烤一小時(shí)后ITO膜均出現(xiàn)了開(kāi)裂，也試過(guò)了不加溫和不加離子源輔助，但鍍產(chǎn)品的光電性能太差了，方阻太大透過(guò)太小，100℃烘烤后倒是不膜裂了，請(qǐng)教下各位大神，如何進(jìn)行工藝改善？

溫度太高了吧。霍爾源本來(lái)就有加熱作用，可以適當(dāng)減少一點(diǎn)鍍膜的溫度。 sjwD x0(7=  
這個(gè)條件要慢慢抓，因?yàn)殡x子源電子槍對(duì)基板都有加熱作用。 ?=%#lZ&?  
而且PC用鹵素?zé)粽丈浔容^好（鍍膜面加熱效果比較好）

多謝大神的專業(yè)指導(dǎo)，不過(guò)我們的鍍膜機(jī)是上加熱，加熱絲加熱的，接下來(lái)我會(huì)試著向這個(gè)參數(shù)方向調(diào)試的，希望能調(diào)試出合格的工藝。

學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)

試試降低離子源能量