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第四代半導(dǎo)體特點(diǎn)和燒結(jié)銀 隨著2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化鎵開始，第三代半導(dǎo)體經(jīng)過三四十年的發(fā)展終于獲得市場(chǎng)認(rèn)可迎來發(fā)展機(jī)遇。此后，第三代半導(dǎo)體在新能源車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域快速發(fā)展開來，并逐漸從熱門場(chǎng)景向更多拓展場(chǎng)景探索。 在第三代半導(dǎo)體發(fā)展得如火如荼之際，氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料也開始受到關(guān)注。其中，氧化鎵( Ga2O3 )是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。 氧化鎵( Ga2O3 ) 在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢(shì)，此前被用于光電領(lǐng)域的應(yīng)用，直到2012年開始，業(yè)內(nèi)對(duì)它更大的期待是用于功率器件，全球80%的研究單位都在朝著該方向發(fā)展。 一、第四代半導(dǎo)體特點(diǎn)：功耗更小成本更低 |
