&mCs%l   rHH#@Zx  在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
 g]:..W7  耦合器由高折射率比
材料組成,是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
 "X\q%%P=?  錐形耦合器實(shí)際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
 BASO$?jf4  錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
 M|5^':Y          選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺,因?yàn)樗峁└哒凵渎时龋ǘ趸鑼幼鳛?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">光學(xué)緩沖器,并允許與集成
電子電路兼容。[2]
 ~Ay        ?U7&R%Lh`
 ?U7&R%Lh`               [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
 Vjv6\;tt8          [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
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