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不需EUV光刻機(jī) 國(guó)內(nèi)首條光子芯片產(chǎn)線(xiàn)2023年建成 近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)首條 " 多材料、跨尺寸 " 的光子芯片生產(chǎn)線(xiàn)已在籌備，預(yù)計(jì)將于 2023 年在京建成，可滿(mǎn)足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國(guó)在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計(jì)算速度較電子芯片快約 1000 倍，且功耗更低。 從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)在于外延設(shè)計(jì)與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。 建成，可滿(mǎn)足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測(cè)等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國(guó)在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計(jì)算速度較電子芯片快約1000 倍，且功耗更低。 從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點(diǎn)在于外延設(shè)計(jì)與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。 關(guān)于EUV光刻機(jī)：  極紫外線(xiàn)光刻機(jī)是芯片生產(chǎn)工具，是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備，對(duì)芯片工藝有著決定性的影響。制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，世界上只有少數(shù)廠家掌握。光刻機(jī)的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的光刻機(jī)，能生產(chǎn)出納米尺寸更小，功能更強(qiáng)大的芯片。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。 |
