帖子
勛章
關注
任務
攻克石墨烯制備和應用關鍵技術 作為我國石墨烯材料領域的主要學術與技術帶頭人，史浩飛憑借多年來在這一領域作出的突出貢獻，11月12日榮獲了第十七屆中國青年科技獎。 史浩飛是河南洛陽人，2011年中科院重慶研究院成立，在國外從事博士后研究工作的他，滿懷干事創(chuàng)業(yè)的熱情回國來到重慶。 當時國內石墨烯材料制備技術的研究還處于起步階段，史浩飛帶領團隊從零開始探索。2013年，史浩飛帶領團隊攻克了大面積單層石墨烯規(guī)模化制備技術，建成了國內外首條量產(chǎn)的石墨烯薄膜生產(chǎn)線，整體技術實現(xiàn)轉移轉化，產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟和社會效益。 作為首席科學家和項目負責人，十余年來，史浩飛主持了國家重點研發(fā)計劃等國家級科研項目6項、省部級項目10余項，針對高質量石墨烯材料制備和應用的關鍵技術瓶頸，從理論、方法、工藝等方面進行了深入系統(tǒng)研究，取得了一系列進展。今年4月，他們在石墨烯材料制備上取得重要突破，實現(xiàn)了在非單晶襯底上生長石墨烯。 “人們常說好土壤才能種出好莊稼，但我們通過努力，讓不好的‘土壤’也能種出好‘莊稼’！”史浩飛笑著說，如果把石墨烯比作“莊稼”，襯底就是石墨烯生長的“土壤”。最初，他們是在多晶銅襯底生長石墨烯，并實現(xiàn)了規(guī)模化制備，但石墨烯晶界的存在導致其性能達不到理想狀態(tài)。近年來，研究人員發(fā)現(xiàn)在單晶銅襯底可以生長單晶石墨烯，有效消除晶界的影響，不足的是，襯底處理起來時間周期長、規(guī)模化制備成本高。 如今，他們實現(xiàn)在非單晶襯底生長單晶石墨烯，一方面打破了學術界“多晶襯底生長多晶石墨烯、單晶襯底生長單晶石墨烯”的傳統(tǒng)認識，另一方面襯底處理時間從過去數(shù)十小時大幅縮短至十幾分鐘，在降低規(guī)模化制備成本的同時，保證了石墨烯的性能，將有效推動高質量石墨烯的規(guī)模化制備和應用。 |
