電阻標(biāo)準(zhǔn)是電學(xué)計(jì)量的基石之一。為了適應(yīng)國(guó)際單位制量子化變革和量值傳遞扁平化趨勢(shì)，推動(dòng)我國(guó)構(gòu)建電子信息產(chǎn)業(yè)先進(jìn)測(cè)量體系，補(bǔ)充國(guó)家量子化標(biāo)準(zhǔn)，開(kāi)展電學(xué)計(jì)量體系中電阻的輕量級(jí)量子化復(fù)現(xiàn)與溯源關(guān)鍵技術(shù)研究至關(guān)重要。與傳統(tǒng)砷化鎵基二維電子氣（2DEG）相比，石墨烯中的2DEG在相同磁場(chǎng)下量子霍爾效應(yīng)低指數(shù)朗道能級(jí)間隔更寬，以其制作的量子霍爾電阻可以在更小磁場(chǎng)、更高溫度和更大電流下工作，易于計(jì)量裝備小型化。此外，量子電阻標(biāo)準(zhǔn)的性能通常與石墨烯的材料質(zhì)量、襯底種類(lèi)和摻雜工藝相關(guān)。如何通過(guò)克服絕緣襯底表面石墨烯成核密度與生長(zhǎng)調(diào)控的瓶頸，獲得高質(zhì)量石墨烯單晶，并以此為基礎(chǔ)，優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝，開(kāi)發(fā)出工作穩(wěn)定且具有高比對(duì)精度的量子電阻標(biāo)準(zhǔn)芯片頗為重要。 {H$m1=S  
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近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所與中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院報(bào)道了采用在絕緣襯底表面氣相催化輔助生長(zhǎng)石墨烯，制備高計(jì)量準(zhǔn)確度的量子霍爾電阻標(biāo)準(zhǔn)芯片的研究工作。相關(guān)研究成果以Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device為題，發(fā)表在Advanced Materials Technologies上。 e
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科研人員采用氫氣退火處理得到具有表面臺(tái)階高度約為0.5nm的碳化硅襯底，以硅烷為氣體催化劑，乙炔作為碳源，在1300°C條件下，生長(zhǎng)出高質(zhì)量單層石墨烯。該溫度條件下，襯底表面臺(tái)階可保持在0.5nm以下。采用這一方法制備的石墨烯可以制成量子電阻標(biāo)準(zhǔn)器件。研究團(tuán)隊(duì)直接將該量子電阻標(biāo)準(zhǔn)器件集成于桌面式量子電阻標(biāo)準(zhǔn)器，在溫度為4.5K、磁場(chǎng)大于4.5T時(shí)，量子電阻標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)準(zhǔn)確度達(dá)到 1.15×10-8，長(zhǎng)期復(fù)現(xiàn)性達(dá)到3.6×10-9。該工作提出了適用于電學(xué)計(jì)量的石墨烯基工程化、實(shí)用化的輕量級(jí)量子電阻標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方案，同時(shí)，通過(guò)基于其量值的傳遞方法，可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的電阻量值準(zhǔn)確溯源的需求，補(bǔ)充國(guó)家計(jì)量基準(zhǔn)向各個(gè)行業(yè)計(jì)量系統(tǒng)的量傳鏈路。 }2i3  
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