[討論]求助各位大佬，怎么才能過(guò)雙85環(huán)測(cè)？ [復(fù)制鏈接]

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只看樓主倒序閱讀樓主發(fā)表于: 2023-03-17

用MGF2+H4這兩種材料，什么工藝才能過(guò)雙85環(huán)測(cè)呀？
目前試過(guò)：設(shè)定溫度320℃，MGF2速率3.0A/S，H4速率1.5A/S，最后鍍15nm SIO2，速率1.5A/S，MGF2打底層，高溫高濕脫膜，看上去像是最外層膜脫落
也試過(guò)：320℃，MGF2速率5.0A/S，H4速率3.0A/S，最外層鍍10nm金剛膜，MGF2打底層，高溫高濕有亞克，太陽(yáng)輻照脫膜
用這兩種材料能過(guò)環(huán)測(cè)嗎？人都麻了

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離線tfcalc68

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只看該作者 1樓發(fā)表于: 2023-03-17

APC充氧流量的多少有什么影響嗎？

離線tfcalc68

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只看該作者 2樓發(fā)表于: 2023-03-17

沒(méi)人給點(diǎn)意見(jiàn)嗎？

離線小時(shí)候_我很帥

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只看該作者 3樓發(fā)表于: 2023-03-22

上離子源

離線yzhuang

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只看該作者 4樓發(fā)表于: 2023-03-30

MgF2換成SiO2，損失一些光學(xué)性能，換來(lái)更好的穩(wěn)定性。

離線嚶?lián)糸L(zhǎng)空

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只看該作者 5樓發(fā)表于: 2023-03-31

建議測(cè)一下溫度，鍍膜時(shí)基片至少要在270°，起始真空度2.0E-3，H4充氧少一點(diǎn)，6.0E-3左右

離線flyinlove79

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只看該作者 6樓發(fā)表于: 2023-05-26

氧化硅蒸發(fā)速率太小了，膜層太疏松吸潮后很容易脫膜

離線knight627

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只看該作者 7樓發(fā)表于: 2023-06-08

不太理解為什么要用sio2+mgf2最外層這結(jié)構(gòu)，無(wú)論是光譜還是致密性也應(yīng)該是mgf2 或者mgf2+sio2更好，SIO2本就是柱狀結(jié)構(gòu)