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本文將設(shè)計(jì)一個(gè)光柵耦合器,將光子芯片表面上的單模光纖連接到集成波導(dǎo)。內(nèi)置粒子群優(yōu)化工具用于最大化耦合效率,并使用組件S參數(shù)在 INTERCONNECT 中創(chuàng)建緊湊模型。還演示了如何使用 CML 編譯器提取這些參數(shù)以生成緊湊模型。(聯(lián)系我們獲取文章附件) =eR#]d i)/#u+Y1P 概述
)afH: R2qz>kyyB S#0C^ Q>xp 90&.n 本示例的目標(biāo)是設(shè)計(jì)一個(gè) TE 絕緣體上硅 (SOI) 耦合器,該耦合器帶有由單模光纖從頂部饋電的布拉格光柵。此設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)是目標(biāo)波長處的耦合效率。耦合效率對(duì)光柵的間距高度敏感p,蝕刻長度le和蝕刻深度he以及光纖的位置x和傾斜角度θ。 VrKLEN\ x&N@R?AG1 ;xSlRTNT=6 o9v.]tb 這五個(gè)參數(shù)通常一起優(yōu)化,以最大限度地提高目標(biāo)中心波長的耦合效率。由于具有五個(gè)參數(shù)的暴力 3-D 優(yōu)化非常耗時(shí),因此此處使用 2-D 和 3-D 模型的組合進(jìn)行兩階段優(yōu)化,并且僅改變?nèi)齻(gè)幾何參數(shù)。設(shè)計(jì)工作流程包括四個(gè)主要步驟。 OTEx9 k#2b3}(, 1、初始 2-D 優(yōu)化:優(yōu)化光柵的間距 p、占空比 d 和光纖位置 x。
=T$2Qo8 2、最終的 3-D 優(yōu)化:優(yōu)化光纖的位置 x 以最小化插入損耗。 AY]rQ:I 3、S 參數(shù)提取:運(yùn)行 S 參數(shù)掃描并將結(jié)果導(dǎo)出到數(shù)據(jù)文件。 :UfaMe5 4、緊湊的模型創(chuàng)建:將 S 參數(shù)數(shù)據(jù)導(dǎo)入光學(xué) S 參數(shù)元素。 h2aO-y>K ;?gR
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