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科學(xué)家實現(xiàn)半導(dǎo)體激光器與硅光子芯片的高效集成 III-V族半導(dǎo)體，即由元素周期表中III族和V族元素制成的材料是最有效的半導(dǎo)體激光源。幾十年來，它們在硅光子集成電路（PIC）上的單片集成一直被認為是實現(xiàn)完全集成、密集的硅光子芯片的主要挑戰(zhàn)。盡管最近取得了進展，但迄今為止，無論波長和激光技術(shù)如何，都只報道了在裸硅晶圓上生長的分立III-V激光器。 在《光科學(xué)與應(yīng)用》（Light Science & Application）雜志上發(fā)表的一篇新論文中，由法國蒙彼利埃大學(xué)Eric Tournié教授領(lǐng)導(dǎo)的一個歐洲科學(xué)家團隊現(xiàn)已解鎖了半導(dǎo)體激光器與硅光子學(xué)的高效集成芯片和光耦合到無源光子器件中。  他們的方法依賴于三大支柱：Si-PIC設(shè)計和制造、III-V材料沉積、激光制造。為了驗證這一概念，硅光子集成電路由嵌入二氧化硅基質(zhì)中的透明S形SiN波導(dǎo)制成。在凹陷區(qū)域中蝕刻掉SiO2/SiN/SiO2堆疊以打開用于沉積III-V材料的Si窗口。關(guān)鍵是在蝕刻后保持硅表面的高晶體質(zhì)量。選擇GaSb技術(shù)作為III-V族材料，因為它可以通過設(shè)計在整個中紅外波長范圍內(nèi)發(fā)射，其中許多氣體都有其指紋吸收線。分子束外延是一種在超高真空下操作的技術(shù)，用于生長半導(dǎo)體層堆疊。 科學(xué)家們之前已經(jīng)證明，這種技術(shù)可以消除通常出現(xiàn)在Si/III-V界面上并導(dǎo)致器件失效的特殊缺陷。此外，分子束外延允許發(fā)射光的激光部分與SiN波導(dǎo)精確對準。最后，使用微電子工藝從外延層堆疊中產(chǎn)生二極管激光器。在這個階段，為了實現(xiàn)激光發(fā)射，必須通過等離子體蝕刻來產(chǎn)生高質(zhì)量的反射鏡。盡管工藝復(fù)雜，但這些集成二極管激光器的性能與在其天然GaSb襯底上生長的二極管激光器相似。此外，激光被耦合到波導(dǎo)中，其耦合效率符合理論計算。 科學(xué)家們總結(jié)了這項工作：最終器件的特殊架構(gòu)所帶來的不同挑戰(zhàn)，如：硅光子集成電路制造和圖案化、圖案硅光子集成電路上的再生長、凹進區(qū)域的蝕刻面激光加工等都被克服，以演示激光發(fā)射和光耦合到無源波導(dǎo)中，耦合效率符合理論計算。 雖然通過針對氣體傳感應(yīng)用的中紅外二極管激光器進行了演示，但這種方法可以應(yīng)用于任何半導(dǎo)體材料系統(tǒng)。此外，它還可以擴展到直徑至少為300毫米的任何硅晶圓尺寸，并提供外延反應(yīng)器。 這項研究成果將為未來的硅光子集成電路開辟新的途徑。它們解決了一個長期存在的問題，并為未來低成本、大規(guī)模、全集成的光子芯片奠定了基礎(chǔ)。 |
