紅外非線性光學(xué)晶體作為激光頻率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件，在全固態(tài)激光器中應(yīng)用廣泛。當(dāng)前，商用的中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)晶體主要包括類金剛石結(jié)構(gòu)的AgGaS2、AgGaSe2和ZnGeP2等化合物。然而，由于各自本征的性能缺陷，這些材料已不能完全滿足當(dāng)前紅外激光技術(shù)發(fā)展的需求。因此，亟需開發(fā)性能優(yōu)異的新型中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料。汞具有獨(dú)特的電子構(gòu)型，利于形成高度極化的Hg2+離子，從而產(chǎn)生顯著的非線性光學(xué)響應(yīng)。因此，含汞硫?qū)倩�合物被視為開發(fā)高性能紅外非線性光學(xué)材料的最有前景的系統(tǒng)之一，但由于Hg的5d和6s電子，之前發(fā)現(xiàn)的汞基硫?qū)倩�合物普遍存在帶隙小的缺點(diǎn)。 (zah890//  
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中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所晶體材料研究中心在前期研究的基礎(chǔ)上，通過系統(tǒng)分析[HgS4]基團(tuán)畸變度對微觀性能的影響，結(jié)合結(jié)構(gòu)預(yù)測，在Hg-Zn-P-S體系合成出首例寬帶隙的汞基紅外非線性光學(xué)材料Zn2HgP2S8。該化合物帶隙達(dá)到3.37 eV，打破了汞基紅外非線性光學(xué)材料帶隙長期小于3.0 eV的帶隙“壁壘”。同時，，Zn2HgP2S8表現(xiàn)出大的倍頻效應(yīng)，約為1.1 ×AgGaS2，并能實(shí)現(xiàn)Ⅰ型相位匹配。相比于前期開發(fā)的大倍頻紅外非線性光學(xué)材料Hg3P2S8，Zn2HgP2S8表現(xiàn)出更平衡的倍頻效應(yīng)及光學(xué)帶隙。理論計算結(jié)果表明，在類金剛石結(jié)構(gòu)中，相比于低畸變度的[HgS4]基團(tuán)，高度畸變的[HgS4]基團(tuán)更利于誘導(dǎo)寬的帶隙，這為后續(xù)設(shè)計寬帶隙汞基類金剛石結(jié)構(gòu)材料提供了新思路。 SWoEt1w  
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