鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
hy>0'$mU 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
+o):grWvQ s6r(\L_Im
||ugb6q[6B hA;Ai:8
5=I"bnIU y0-UO+; 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
78r0K 5= 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。