刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 t3;QF
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刻蝕的機制，按發(fā)生順序可概分為反應(yīng)物接近表面、表面氧化、表面反應(yīng)、生成物離開表面等過程。所以整個刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。整個刻蝕的時間，等于是擴散與化學(xué)反應(yīng)兩部分所費時間的總和。二者之中孰者費時較長，整個刻蝕之快慢也卡在該者，故有所謂“reaction limited”與“diffusion limited”兩類刻蝕之分。目前干法刻蝕市場占比90%，濕法刻蝕占比10%，濕法刻蝕一般適用于尺寸較大的情況下（大于3微米）以及用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。其余，生產(chǎn)中大部分采用干法刻蝕。干法刻蝕與濕法腐蝕工藝利用藥液處理的原理不同，干法刻蝕在刻蝕表面材料時，既存在化學(xué)反應(yīng)又存在物理反應(yīng)。因此在刻蝕特性上既表現(xiàn)出化學(xué)的等方性，又表現(xiàn)出物理的異方性。所謂等方性，是指縱橫兩個方向上均存在刻蝕。而異向性，則指單一縱向上的刻蝕。干法刻蝕用于高精度的圖形轉(zhuǎn)移。目前我國刻蝕工藝以及刻蝕設(shè)備相對于光刻而言，已經(jīng)能夠達到世界較為前列的水平。能夠達到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。
